GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江德生
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:2页码:151 |
| 中文摘要 | 报道GaAs/GaAlAs中红外(3～5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能。GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,峰值探测率达到5×10~(11)cm·Hz~(1/2)/W,阻抗为50MΩ。GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3～5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下550K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8～12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W。 |
| 英文摘要 | 报道GaAs/GaAlAs中红外(3～5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能。GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,峰值探测率达到5×10~(11)cm·Hz~(1/2)/W,阻抗为50MΩ。GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3～5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下550K黑体探测率为3.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W,当偏压为2V时,该探测器的响应切换到8～12μm波段,峰值响应波长为9.0μm,85K温度下的黑体探测率为1.0×10~9cm·Hz~(1/2)/W。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:21导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5889.pdf: 187519 bytes, checksum: 819828e70248e4b30dd372b1b2fa193e (MD5) Previous issue date: 1996; 单位基金,国家自然科学基金; 中科院半导体所;国家光电子工艺中心 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 单位基金,国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19585]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生. GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器[J]. 半导体学报,1996,17(2):151. |
| APA | 江德生.(1996).GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器.半导体学报,17(2),151. |
| MLA | 江德生."GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器".半导体学报 17.2(1996):151. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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