GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能
文献类型：期刊论文
| 作者 | 樊志军
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:2页码:131 |
| 中文摘要 | 报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性。单元器件的最小维持功耗小于30μW。使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于80μW。单元面积160×160μm、间距40μm的存贮器4×4原理性阵列已经研制成功,这是0.85μm波长范围的光子平行存贮器的首次报道。 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19587]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 樊志军. GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能[J]. 半导体学报,1996,17(2):131. |
| APA | 樊志军.(1996).GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能.半导体学报,17(2),131. |
| MLA | 樊志军."GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能".半导体学报 17.2(1996):131. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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