气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁瑞霞 ; 阎春辉 ; 国红熙 ; 李晓兵 ; 朱世荣 ; 曾一平 ; 李灵霄 ; 孔梅影 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:1页码:6 |
| 中文摘要 | 简要报告气态源分子束外延实验结果。材料是GaAs(100)衬底上外延的晶格匹配的In_y(Ga_(1-x)Al_x)_(1-y)P(x=0～1,y=0.5),InGaP/InAlP多量子阱;在InP(100)衬底上外延的InP,晶格匹配的InGaAs、InAlAs以及InP/InGaAs、InP/InAsP多量子阱,InGaAs/InAlAs HEMT等,外延实验是用国产第一台化学束外延(CBE)系统做的。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19591]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁瑞霞,阎春辉,国红熙,等. 气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料[J]. 半导体学报,1996,17(1):6. |
| APA | 袁瑞霞.,阎春辉.,国红熙.,李晓兵.,朱世荣.,...&孔梅影.(1996).气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料.半导体学报,17(1),6. |
| MLA | 袁瑞霞,et al."气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ-V族化合物材料".半导体学报 17.1(1996):6. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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