氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关
文献类型：期刊论文
| 作者 | 庄婉如 ; 杨培生 ; 孙富荣 ; 石志文 ; 段继宁 ; 邹正中 ; 高俊华 |
| 刊名 | 光子学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 25期号:2页码:119 |
| 中文摘要 | 研制了一种全内反射型InGaAsP/InP光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流子注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面,改善了光开关的性能。在入射光波长为1.3 μm,注入电流为32 mA下得到光开关反射端消光比为18 dB,无注入时的关态串话为-19 dB。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19599]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄婉如,杨培生,孙富荣,等. 氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关[J]. 光子学报,1996,25(2):119. |
| APA | 庄婉如.,杨培生.,孙富荣.,石志文.,段继宁.,...&高俊华.(1996).氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关.光子学报,25(2),119. |
| MLA | 庄婉如,et al."氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关".光子学报 25.2(1996):119. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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