InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘颖 ; 杜国同 ; 姜秀英 ; 刘素平 ; 张晓波 ; 赵永生 ; 高鼎三 ; 林世呜 ; 高洪海 ; 高俊华 ; 王洪杰 ; 康学军 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 15期号:3页码:218 |
| 中文摘要 | 报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω. |
| 英文摘要 | 报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5902.pdf: 183809 bytes, checksum: 799836a569c5b7478ed13055d3b88cf1 (MD5) Previous issue date: 1996; 吉林大学电子工程系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19609]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘颖,杜国同,姜秀英,等. InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(3):218. |
| APA | 刘颖.,杜国同.,姜秀英.,刘素平.,张晓波.,...&康学军.(1996).InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器.红外与毫米波学报,15(3),218. |
| MLA | 刘颖,et al."InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器".红外与毫米波学报 15.3(1996):218. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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