GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 薛舫时 ; 邓衍茂 ; 张崇仁 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 24期号:2页码:17 |
| 学科主题 | 微电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19627]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 薛舫时,邓衍茂,张崇仁. GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究[J]. 电子学报,1996,24(2):17. |
| APA | 薛舫时,邓衍茂,&张崇仁.(1996).GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究.电子学报,24(2),17. |
| MLA | 薛舫时,et al."GaAs/AlAs异质谷间转移电子器件微波振荡特性的研究".电子学报 24.2(1996):17. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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