GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金世荣 ; 褚君浩 ; 汤定元 ; 罗晋生 ; 徐仲英 ; 罗昌平 ; 袁之良 ; 许继宗 ; 郑宝真 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 15期号:4页码:291 |
| 中文摘要 | 研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。 |
| 英文摘要 | 研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:30导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5913.pdf: 379169 bytes, checksum: d300d2d9e92f04b6bf6f06eb3e78d17d (MD5) Previous issue date: 1996; 国家自然科学基金; 中科院上海技术物理所;西安交通大学微电子研究室;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19629]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金世荣,褚君浩,汤定元,等. GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(4):291. |
| APA | 金世荣.,褚君浩.,汤定元.,罗晋生.,徐仲英.,...&郑宝真.(1996).GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系.红外与毫米波学报,15(4),291. |
| MLA | 金世荣,et al."GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系".红外与毫米波学报 15.4(1996):291. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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