注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑宝真 ; 赛纳 ; 许继宗 ; 张鹏华 ; 杨小平 ; 徐仲英 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 15期号:6页码:407 |
| 中文摘要 | 用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关. |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19633]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑宝真,赛纳,许继宗,等. 注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(6):407. |
| APA | 郑宝真,赛纳,许继宗,张鹏华,杨小平,&徐仲英.(1996).注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究.红外与毫米波学报,15(6),407. |
| MLA | 郑宝真,et al."注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究".红外与毫米波学报 15.6(1996):407. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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