As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹吕凡 ; 王占国 ; 孙殿照 ; 何沙 ; 范缇文 ; 刘学锋 ; 张靖巍 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:9页码:717 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:31导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5918.pdf: 233797 bytes, checksum: b76f8821d5092dd96dbd4cddcb3044db (MD5) Previous issue date: 1996; 国家自然科学基金; 中科院半导体所;中南民族学院电子工程系 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19639]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹吕凡,王占国,孙殿照,等. As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为[J]. 半导体学报,1996,17(9):717. |
| APA | 邹吕凡.,王占国.,孙殿照.,何沙.,范缇文.,...&张靖巍.(1996).As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为.半导体学报,17(9),717. |
| MLA | 邹吕凡,et al."As＋注入Si（1-x）Gex的快速退火行为".半导体学报 17.9(1996):717. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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