大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 奚雪梅 ; 赵清太 ; 张兴 ; 李映雪 ; 王阳元 ; 陈新 ; 王佑祥 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:9页码:698 |
| 中文摘要 | 在大剂量氧注入硅形成SIMOX(separation by IMplanted OXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O~+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO_2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO_2内的快速扩散等等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序POISS(Program of Oxygen Implantaion intion Silicon Substrate),能够较为准确地反映SIMOX材料的特征厚度.本程序已用于该所的SIMOX材料研究制中. |
| 英文摘要 | 在大剂量氧注入硅形成SIMOX(separation by IMplanted OXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O~+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO_2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO_2内的快速扩散等等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序POISS(Program of Oxygen Implantaion intion Silicon Substrate),能够较为准确地反映SIMOX材料的特征厚度.本程序已用于该所的SIMOX材料研究制中.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5919.pdf: 494117 bytes, checksum: f0712acb4cb6805ed1a525ebf1908c4a (MD5) Previous issue date: 1996; 北京大学微电子所;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19641]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奚雪梅,赵清太,张兴,等. 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算[J]. 半导体学报,1996,17(9):698. |
| APA | 奚雪梅.,赵清太.,张兴.,李映雪.,王阳元.,...&王佑祥.(1996).大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算.半导体学报,17(9),698. |
| MLA | 奚雪梅,et al."大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算".半导体学报 17.9(1996):698. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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