MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董建荣 ; 李晓兵 ; 孙殿照 ; 陆大成 ; 李建平 ; 孔梅影 ; 王占国 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:9页码:641 |
| 中文摘要 | 用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响. |
| 英文摘要 | 用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:33导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5922.pdf: 187807 bytes, checksum: c886f1b91036d1738a8c69337008b3a1 (MD5) Previous issue date: 1996; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19647]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董建荣,李晓兵,孙殿照,等. MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究[J]. 半导体学报,1996,17(9):641. |
| APA | 董建荣.,李晓兵.,孙殿照.,陆大成.,李建平.,...&王占国.(1996).MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究.半导体学报,17(9),641. |
| MLA | 董建荣,et al."MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究".半导体学报 17.9(1996):641. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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