As＋注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邹吕凡 ; 王占国 ; 孙殿照 ; 何沙 ; 范缇文 ; 张靖巍 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:12页码:946 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19655]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹吕凡,王占国,孙殿照,等. As＋注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究[J]. 半导体学报,1996,17(12):946. |
| APA | 邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,&张靖巍.(1996).As＋注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究.半导体学报,17(12),946. |
| MLA | 邹吕凡,et al."As＋注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究".半导体学报 17.12(1996):946. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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