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GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究
文献类型:期刊论文
| 作者 | 张伟
|
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:11页码:869 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19667] ![]() |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张伟. GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究[J]. 半导体学报,1996,17(11):869. |
| APA | 张伟.(1996).GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究.半导体学报,17(11),869. |
| MLA | 张伟."GaAs(100)衬底上自组织生长InAs量子点的研究".半导体学报 17.11(1996):869. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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