自组织生长InAs量子点发光的温度特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕振东 ; 杨小平 ; 袁之良 ; 徐仲英 ; 郑宝真 ; 许继宗 ; 陈弘 ; 黄绮 ; 周均铭 ; 王建农 ; 王玉琦 ; 葛惟昆 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 17期号:10页码:793 |
| 中文摘要 | 报道了InAs/GaAs自组织生长量子点结构中发光的温度特性.在12～150K温度范围内,实验测得的InAs激子发光能量随温度增加明显红移,其红移速率远大于InAs带隙的温度关系,而光谱宽度则明显减小.这些结果表明InAs量子点结构是一种强耦合系统,局域在InAs量子点中的载流子波函数会相互交迭、相互贯穿,从而增强了载流子的弛豫过程. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金,攀登计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19671]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕振东,杨小平,袁之良,等. 自组织生长InAs量子点发光的温度特性[J]. 半导体学报,1996,17(10):793. |
| APA | 吕振东.,杨小平.,袁之良.,徐仲英.,郑宝真.,...&葛惟昆.(1996).自组织生长InAs量子点发光的温度特性.半导体学报,17(10),793. |
| MLA | 吕振东,et al."自组织生长InAs量子点发光的温度特性".半导体学报 17.10(1996):793. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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