高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李加东 ; 吴东岷*; 吴东岷*; 吴东岷*; 李加东
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| 刊名 | 微纳电子技术
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| 出版日期 | 2012-07-15 |
| 卷号 | 49期号:7 |
| 关键词 | 高电子迁移率晶体管(HEMT) 生物传感器 生物分子膜门电极 灵敏度 山羊免疫球蛋白 |
| 通讯作者 | 吴东岷* |
| 中文摘要 | 目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时还影响了传感器灵敏度的提高等问题,提出了进行"生物分子膜"门电极的研究。传感器的表面采用3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)进行修饰作为分子识别元件固定的基底,该方法在降低传感器的制作成本的同时,提高了传感器的灵敏度,传感区域为长度L=5μm、宽度W=160μm的传感器测量质量浓度为0.1ng/mL的山羊免疫球蛋白(IgG)时,传感器源漏间电流呈现约30μA的电流降。该传感器反应速度快,适用于实时监测,在环境监控、医疗等领域有着良好的应用前景。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-25 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/1092]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米研究国际实验室_吴东岷团队 |
| 通讯作者 | 吴东岷*; 吴东岷*; 吴东岷* |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李加东,吴东岷*,吴东岷*,等. 高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作[J]. 微纳电子技术,2012,49(7). |
| APA | 李加东,吴东岷*,吴东岷*,吴东岷*,&李加东.(2012).高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作.微纳电子技术,49(7). |
| MLA | 李加东,et al."高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作".微纳电子技术 49.7(2012). |
入库方式： OAI收割
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