一种离子敏传感器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 张珽 ; 于薇; 李光辉; 谷文; 刘瑞; 沈方平
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| 发表日期 | 2015-06-17 |
| 专利号 | CN103293209B |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 申请日期 | 2013-05-06 |
| 专利申请号 | 2147483647 |
| 源URL | [http://ir.sinano.ac.cn/handle/332007/3208]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_纳米研究国际实验室_张珽团队 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张珽,于薇,李光辉,等. 一种离子敏传感器及其制作方法. CN103293209B. 2015-06-17. |
入库方式： OAI收割
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