低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张耀辉
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| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2009 |
| 期号 | 21 |
| 关键词 | 带隙基准 温度系数 电源抑制 电流源 驱动电路 |
| 通讯作者 | 朱从义 |
| 合作状况 | 其它 |
| 中文摘要 | 设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增益,从而使输出电平与电源电压无关,然后通过电阻把电压转化为电流。该电路在0.35μm、3.3V的工艺下实现,芯片面积为0.03mm2。仿真和测试结果表明,该电流源的温度系数为8.7×10-6/℃,在2.6～4V的电源电压下均能正常工作,达到了系统要求。 |
| 收录类别 | 其他 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-01-15 |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/112]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_系统集成与IC设计部_张耀辉团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张耀辉. 低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源[J]. 半导体技术,2009(21). |
| APA | 张耀辉.(2009).低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源.半导体技术(21). |
| MLA | 张耀辉."低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源".半导体技术 .21(2009). |
入库方式： OAI收割
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