实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
|
| 刊名 | 高技术通讯
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 6期号:11页码:1 |
| 中文摘要 | 用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AIGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA，输出光功率不小于5mW，最高工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家863计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19693]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. 实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器[J]. 高技术通讯,1996,6(11):1. |
| APA | 陈良惠.(1996).实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器.高技术通讯,6(11),1. |
| MLA | 陈良惠."实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器".高技术通讯 6.11(1996):1. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。