一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张耀辉 ; 黄寓洋; 殷志珍
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| 发表日期 | 2012-07-25 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN 102163547 B |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法,这种方法包括以下步骤:首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1),在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3),用芯片(4)作为掩膜,光刻出中央开口的图形;腐蚀形成第一通孔(6),深刻蚀得到第二通孔(7);接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除,得到甩胶套(8);然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7),甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上,支持薄膜(9)固定在甩胶机上;将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶,得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度,提高芯片面积的利用率,并增加后续工艺的完整性。 |
| 公开日期 | 2012-09-26 |
| 申请日期 | 2011-03-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 201110054010.X |
| 源URL | [http://58.210.77.100/handle/332007/841]  |
| 专题 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所_系统集成与IC设计部_张耀辉团队 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张耀辉,黄寓洋,殷志珍. 一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法. CN 102163547 B. 2012-07-25. |
入库方式： OAI收割
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