锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 董文甫 ; 王启明 ; 杨沁清 |
| 刊名 | 光学学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 卷号 | 16期号:11页码:1641 |
| 中文摘要 | 研究了Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁遇极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19725]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董文甫,王启明,杨沁清. 锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究[J]. 光学学报,1996,16(11):1641. |
| APA | 董文甫,王启明,&杨沁清.(1996).锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究.光学学报,16(11),1641. |
| MLA | 董文甫,et al."锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究".光学学报 16.11(1996):1641. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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