室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 季航 ; 赵特秀 ; 王晓平 ; 吴建新 ; 徐彭寿 ; 陆尔东 ; 许振嘉 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 44期号:4页码:622 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:53导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5969.pdf: 439078 bytes, checksum: 79c84a235a02d3c14c4cb9562a12ae7a (MD5) Previous issue date: 1995; 国家自然科学基金; 中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学结构成分分析中心;中国科学技术大学;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19739]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季航,赵特秀,王晓平,等. 室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究[J]. 物理学报,1995,44(4):622. |
| APA | 季航.,赵特秀.,王晓平.,吴建新.,徐彭寿.,...&许振嘉.(1995).室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究.物理学报,44(4),622. |
| MLA | 季航,et al."室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究".物理学报 44.4(1995):622. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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