用逐层淀积法制备a-Si:H薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 潘广勤 ; 廖显伯 ; 王燕 ; 刁宏伟 ; 孔光临 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 23期号:5页码:77 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:05导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5994.pdf: 197982 bytes, checksum: 21dd9e457c1223f4ae27924bd144cc0e (MD5) Previous issue date: 1995; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19789]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘广勤,廖显伯,王燕,等. 用逐层淀积法制备a-Si:H薄膜[J]. 电子学报,1995,23(5):77. |
| APA | 潘广勤,廖显伯,王燕,刁宏伟,&孔光临.(1995).用逐层淀积法制备a-Si:H薄膜.电子学报,23(5),77. |
| MLA | 潘广勤,et al."用逐层淀积法制备a-Si:H薄膜".电子学报 23.5(1995):77. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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