Band-inhomogeneity in GaAs single crystal grown in space
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhou Bojun |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:2页码:158 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19793]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou Bojun. Band-inhomogeneity in GaAs single crystal grown in space[J]. 半导体学报,1995,16(2):158. |
| APA | Zhou Bojun.(1995).Band-inhomogeneity in GaAs single crystal grown in space.半导体学报,16(2),158. |
| MLA | Zhou Bojun."Band-inhomogeneity in GaAs single crystal grown in space".半导体学报 16.2(1995):158. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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