GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈涌海
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:4页码:248 |
| 中文摘要 | 采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。 |
| 英文摘要 | 采用三角阱近似,计算了GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)电子只占据基态子带时,由极性光学声子、声学形变势、声学压电势、远程电离杂质、本底电离杂质合金无序以及界面粗糙等七种主要的散射机制决定的电子迁移率与温度、2DEG浓度、本底电离杂质浓度、以及界面不平整度等的关系。理论计算结果与实验符合很好。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:09导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6003.pdf: 272768 bytes, checksum: 230812003480b63815a60ea616725fb6 (MD5) Previous issue date: 1995; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19807]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈涌海. GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究[J]. 半导体学报,1995,16(4):248. |
| APA | 陈涌海.(1995).GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究.半导体学报,16(4),248. |
| MLA | 陈涌海."GaAs/AlGaAs二维电子气（2DEG）散射机理研究".半导体学报 16.4(1995):248. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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