GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
文献类型：期刊论文
| 作者 | 马红 ; 杨锡震 ; 周洁 ; 卢励吾 ; 封松林 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:8页码:574 |
| 中文摘要 | 采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zt在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和介带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究,结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心. |
| 英文摘要 | 采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zt在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和介带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究,结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:12导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6008.pdf: 410460 bytes, checksum: 2f308d367ce34f8e2815ba93c53b6f83 (MD5) Previous issue date: 1995; 北京师范大学物理学系;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19817]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马红,杨锡震,周洁,等. GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心[J]. 半导体学报,1995,16(8):574. |
| APA | 马红,杨锡震,周洁,卢励吾,&封松林.(1995).GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心.半导体学报,16(8),574. |
| MLA | 马红,et al."GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心".半导体学报 16.8(1995):574. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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