InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙殿照 ; 王晓亮 ; 李晓兵 ; 国红熙 ; 阎春辉 ; 李建平 ; 朱世荣 ; 李灵霄 ; 曾一平 ; 孙梅影 ; 侯洵 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:10页码:725 |
| 中文摘要 | 在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19821]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙殿照,王晓亮,李晓兵,等. InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究[J]. 半导体学报,1995,16(10):725. |
| APA | 孙殿照.,王晓亮.,李晓兵.,国红熙.,阎春辉.,...&侯洵.(1995).InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究.半导体学报,16(10),725. |
| MLA | 孙殿照,et al."InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究".半导体学报 16.10(1995):725. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。