K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 季航 ; 赵特秀 ; 王晓平 ; 吴建新 ; 徐彭寿 ; 陆尔东 ; 许振嘉 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:2页码:133 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19827]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季航,赵特秀,王晓平,等. K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究[J]. 半导体学报,1995,16(2):133. |
| APA | 季航.,赵特秀.,王晓平.,吴建新.,徐彭寿.,...&许振嘉.(1995).K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究.半导体学报,16(2),133. |
| MLA | 季航,et al."K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究".半导体学报 16.2(1995):133. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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