SIPOS膜的结构组成
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谭凌 ; 雷沛云 ; 梁骏吾 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:12页码:890 |
| 中文摘要 | 采用常压化学气相淀积(APCVD)方法,生长了不同氧含量的SIPOS(半绝缘含氧多晶硅)膜,研究了SIPOS膜的结构组成。SIPOS膜是微晶,多晶和共晶共存的结构,其晶态物中含有缺氧的α-Cristobalite(方石英)结构。膜中含氧量可变,以SiO_x(x＜2)表示。随着氧含量的增加或减少,其结构向非晶或多晶方向移动。膜中氧原子分布不均匀,局部有氧原子微区集中或缺少现象,使x=0或1或2。 |
| 英文摘要 | 采用常压化学气相淀积(APCVD)方法,生长了不同氧含量的SIPOS(半绝缘含氧多晶硅)膜,研究了SIPOS膜的结构组成。SIPOS膜是微晶,多晶和共晶共存的结构,其晶态物中含有缺氧的α-Cristobalite(方石英)结构。膜中含氧量可变,以SiO_x(x＜2)表示。随着氧含量的增加或减少,其结构向非晶或多晶方向移动。膜中氧原子分布不均匀,局部有氧原子微区集中或缺少现象,使x=0或1或2。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6017.pdf: 166940 bytes, checksum: f81d7bf604617e7fb84635655f49a45e (MD5) Previous issue date: 1995; 省市基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 省市基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19835]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭凌,雷沛云,梁骏吾. SIPOS膜的结构组成[J]. 半导体学报,1995,16(12):890. |
| APA | 谭凌,雷沛云,&梁骏吾.(1995).SIPOS膜的结构组成.半导体学报,16(12),890. |
| MLA | 谭凌,et al."SIPOS膜的结构组成".半导体学报 16.12(1995):890. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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