Si（0.5）Ge（0.5）合金的热氧化物的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邢益荣 ; 崔玉德 ; 殷士端 ; 张敬平 ; 李侠 ; 朱沛然 ; 徐田冰 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:7页码:491 |
| 学科主题 | 半导体化学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19837]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢益荣,崔玉德,殷士端,等. Si（0.5）Ge（0.5）合金的热氧化物的研究[J]. 半导体学报,1995,16(7):491. |
| APA | 邢益荣.,崔玉德.,殷士端.,张敬平.,李侠.,...&徐田冰.(1995).Si（0.5）Ge（0.5）合金的热氧化物的研究.半导体学报,16(7),491. |
| MLA | 邢益荣,et al."Si（0.5）Ge（0.5）合金的热氧化物的研究".半导体学报 16.7(1995):491. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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