低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈良惠
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:8页码:598 |
| 中文摘要 | 报道了脊形波导结构GaAs/AlGaAs量子阱激光器的研究成果,采用湿法化学腐蚀方法,通过对器件结构参数的优化,制备了性能优越的脊形波导GaAs/AlGaAs量子阱激光器,器件的阈值电流低于10mA,最低值为7.3mA.而且实现了基横模工作,这是国内报道的该结构激光器的最好水平. |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19843]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈良惠. 低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器[J]. 半导体学报,1995,16(8):598. |
| APA | 陈良惠.(1995).低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器.半导体学报,16(8),598. |
| MLA | 陈良惠."低阈值基横模脊形波导GaAs/AlGaAs单量子阱激光器".半导体学报 16.8(1995):598. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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