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短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验

文献类型:期刊论文

作者张伟
刊名半导体学报
出版日期1995
卷号16期号:10页码:730
中文摘要制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)_M/(AlAs)_M超晶格样品并测量了其椭偏光谱。对这些样品的光频介电函数谱进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较。上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线。在光子能量3.5~4.5eV范围的E_1峰与E_1峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致。实验谱中的E_1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E_1峰之差异也大于理论结果。
学科主题半导体物理
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19845]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
张伟. 短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验[J]. 半导体学报,1995,16(10):730.
APA 张伟.(1995).短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验.半导体学报,16(10),730.
MLA 张伟."短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验".半导体学报 16.10(1995):730.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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