非对称双势垒结构中电子态的特异性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋爱民 ; 郑厚植 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:7页码:552 |
| 中文摘要 | 在包络波函数近似下自洽计算了非对称双热垒结构(DBS)中的电子态,并正确得到了积累区和中央势阱中准束缚能级E_(ac)、E_(we)随偏压变化的反交叉过程.结果首次揭示了结果适当选取DBS的入射垒厚度,随着外加电场不断增加,在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三解势阱的基态能级E_(com),E_(com)具有很好的二维性,这表明在过共振区DBS在入射端积累区中只存在二维电子. |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家攀登计划 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19847]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋爱民,郑厚植. 非对称双势垒结构中电子态的特异性[J]. 半导体学报,1995,16(7):552. |
| APA | 宋爱民,&郑厚植.(1995).非对称双势垒结构中电子态的特异性.半导体学报,16(7),552. |
| MLA | 宋爱民,et al."非对称双势垒结构中电子态的特异性".半导体学报 16.7(1995):552. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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