非晶硅X-射线探测阵列的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑怀德 ; 廖显伯 ; 孔光临 ; 刁宏伟 ; 万旭东 ; 夏传铖 ; 潘广勒 ; 肖君 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:6页码:439 |
| 中文摘要 | 研制出a-Si:H pin型X射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(CsI)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm~2、1.6×1.6mm~2和100×100μm~2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1.0、10~(-12)A/mm~2(-10mV),光灵敏度～0.35μA/μW*600nm).该文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果. |
| 英文摘要 | 研制出a-Si:H pin型X射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(CsI)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm~2、1.6×1.6mm~2和100×100μm~2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1.0、10~(-12)A/mm~2(-10mV),光灵敏度～0.35μA/μW*600nm).该文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:22导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6024.pdf: 233651 bytes, checksum: 0fdba2d8df9b66a3fdeb6b6e3225833f (MD5) Previous issue date: 1995; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19849]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑怀德,廖显伯,孔光临,等. 非晶硅X-射线探测阵列的研究[J]. 半导体学报,1995,16(6):439. |
| APA | 郑怀德.,廖显伯.,孔光临.,刁宏伟.,万旭东.,...&肖君.(1995).非晶硅X-射线探测阵列的研究.半导体学报,16(6),439. |
| MLA | 郑怀德,et al."非晶硅X-射线探测阵列的研究".半导体学报 16.6(1995):439. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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