高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐波
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:9页码:706 |
| 中文摘要 | 采用三角阱近似,考虑了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,该文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19851]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐波. 高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究[J]. 半导体学报,1995,16(9):706. |
| APA | 徐波.(1995).高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究.半导体学报,16(9),706. |
| MLA | 徐波."高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究".半导体学报 16.9(1995):706. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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