高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:3页码:170 |
| 中文摘要 | 应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,得出同时包含几个不同阱宽的InGaAs/GaAs量子阱结构的重要参数,其检测结果与光致发光(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法的测试结果基本一致,表明X射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法。 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19853]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. 高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数[J]. 半导体学报,1995,16(3):170. |
| APA | 王玉田.(1995).高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数.半导体学报,16(3),170. |
| MLA | 王玉田."高精度双晶衍射（HRDCD）方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数".半导体学报 16.3(1995):170. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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