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室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器

文献类型:期刊论文

作者刘颖 ; 杜国同 ; 姜秀英 ; 刘素平 ; 张晓波 ; 赵永生 ; 高鼎三 ; 林世鸣 ; 康学军 ; 高洪海 ; 高俊华 ; 王红杰
刊名半导体学报
出版日期1995
卷号16期号:12页码:951
中文摘要报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%。
英文摘要报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6035.pdf: 106601 bytes, checksum: 09a56a4cba0afc16271cdd5bb79915fe (MD5) Previous issue date: 1995; 国家863计划; 吉林大学;中科院半导体所
学科主题半导体器件
收录类别CSCD
资助信息国家863计划
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19871]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘颖,杜国同,姜秀英,等. 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器[J]. 半导体学报,1995,16(12):951.
APA 刘颖.,杜国同.,姜秀英.,刘素平.,张晓波.,...&王红杰.(1995).室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器.半导体学报,16(12),951.
MLA 刘颖,et al."室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器".半导体学报 16.12(1995):951.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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