室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器
文献类型:期刊论文
作者 | 刘颖 ; 杜国同 ; 姜秀英 ; 刘素平 ; 张晓波 ; 赵永生 ; 高鼎三 ; 林世鸣 ; 康学军 ; 高洪海 ; 高俊华 ; 王红杰 |
刊名 | 半导体学报
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出版日期 | 1995 |
卷号 | 16期号:12页码:951 |
中文摘要 | 报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%。 |
英文摘要 | 报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65%。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:26导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6035.pdf: 106601 bytes, checksum: 09a56a4cba0afc16271cdd5bb79915fe (MD5) Previous issue date: 1995; 国家863计划; 吉林大学;中科院半导体所 |
学科主题 | 半导体器件 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家863计划 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19871] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘颖,杜国同,姜秀英,等. 室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器[J]. 半导体学报,1995,16(12):951. |
APA | 刘颖.,杜国同.,姜秀英.,刘素平.,张晓波.,...&王红杰.(1995).室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器.半导体学报,16(12),951. |
MLA | 刘颖,et al."室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器".半导体学报 16.12(1995):951. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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