用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄大定 ; 秦复光 ; 姚振钰 ; 刘志凯 ; 任治璋 ; 林兰英 ; 高维滨 ; 任庆余 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 卷号 | 16期号:2页码:153 |
| 中文摘要 | 采用质量分离的低能双离子束淀积(IBD)技术,在硅(111)衬底上共淀积,生长了氧化铈外延薄膜。椭圆偏振仪测得,膜厚2000A。俄歇能谱仪测得,外延层内铈、氧分布均匀,具有很好的正化学比。X射线双晶衍射得到明显的氧化铈(111),(222)峰,半高宽≤23''。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19881]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄大定,秦复光,姚振钰,等. 用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜[J]. 半导体学报,1995,16(2):153. |
| APA | 黄大定.,秦复光.,姚振钰.,刘志凯.,任治璋.,...&任庆余.(1995).用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜.半导体学报,16(2),153. |
| MLA | 黄大定,et al."用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜".半导体学报 16.2(1995):153. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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