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1MeVSi+衬底加温注入Al(0.3)Ca(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究

文献类型:期刊论文

作者李岱青 ; 宫宝安 ; 万亚 ; 朱沛然 ; 周俊思 ; 徐天冰 ; 穆善明 ; 赵清太 ; 王忠烈
刊名物理学报
出版日期1994
卷号43期号:8页码:1311
中文摘要用卢瑟福背散射沟道技术研究了1MeVSi~+在衬底加温和室温下以不同剂量注入Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs后的晶格损伤。在衬底加温下, 观察到Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围, 以及两种速率失去平衡的临界剂量。用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
资助信息省市基金
语种中文
公开日期2010-11-23
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19905]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李岱青,宫宝安,万亚,等. 1MeVSi+衬底加温注入Al(0.3)Ca(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究[J]. 物理学报,1994,43(8):1311.
APA 李岱青.,宫宝安.,万亚.,朱沛然.,周俊思.,...&王忠烈.(1994).1MeVSi+衬底加温注入Al(0.3)Ca(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究.物理学报,43(8),1311.
MLA 李岱青,et al."1MeVSi+衬底加温注入Al(0.3)Ca(0.7)As/GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究".物理学报 43.8(1994):1311.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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