GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘剑 ; 江德生
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| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 13期号:1页码:77 |
| 中文摘要 | 报道了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱pin结构在不同温度下的光荧光谱,观察到宽阱与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系,结果表明窄阱电子的热发射是导致窄阱光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因。同时观测到宽阱轻 空穴激子峰强度特殊的温度依赖关系,并分析了其物理机制。 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19935]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘剑,江德生. GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(1):77. |
| APA | 刘剑,&江德生.(1994).GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系.红外与毫米波学报,13(1),77. |
| MLA | 刘剑,et al."GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系".红外与毫米波学报 13.1(1994):77. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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