InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱光学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 江德生
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| 刊名 | 红外与毫米波学报
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| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 13期号:5页码:340 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:37导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6071.pdf: 184184 bytes, checksum: f33c32abbacdb6ddec2c7c85507ce03c (MD5) Previous issue date: 1994; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19939]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生. InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱光学性质[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(5):340. |
| APA | 江德生.(1994).InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱光学性质.红外与毫米波学报,13(5),340. |
| MLA | 江德生."InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱光学性质".红外与毫米波学报 13.5(1994):340. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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