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烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响

文献类型:期刊论文

作者于晓华 ; 荣菊 ; 詹肇麟 ; 王远
刊名材料热处理学报
出版日期2015-06-30
期号S1
关键词ZnO压敏陶瓷 烧结温度 保温时间 电学性能 微观结构
中文摘要以ZnO粉末为主要原料,添加TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在不同烧结温度(1100~1250℃)与保温时间(1.0~2.5h)下制备ZnO压敏陶瓷。采用SEM观察陶瓷形貌,利用压敏电阻直流参数仪测试陶瓷的电学性能,研究烧结温度与保温时间对陶瓷结构和性能的影响。结果表明,随烧结温度升高,压敏电压、漏电流逐渐降低,而非线性系数先减小后增加。制备ZnO压敏陶瓷的适宜烧结温度与保温时间分别为1250℃、1h,压敏电压为17.0V/mm、漏电流为0.014mA、非线性系数为14.2,陶瓷内部晶粒可长大至128.7μm。
语种中文
公开日期2016-04-19
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/74474]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
于晓华,荣菊,詹肇麟,等. 烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响[J]. 材料热处理学报,2015(S1).
APA 于晓华,荣菊,詹肇麟,&王远.(2015).烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响.材料热处理学报(S1).
MLA 于晓华,et al."烧结工艺对ZnO压敏陶瓷微观结构与电学性能影响".材料热处理学报 .S1(2015).

入库方式: OAI收割

来源:金属研究所

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