中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究

文献类型:期刊论文

作者王德煌 ; 王威礼 ; 李桂棠 ; 庄婉如 ; 段树坤
刊名北京大学学报. 自然科学版
出版日期1994
卷号30期号:5页码:575
中文摘要报道MOVPE技术生长不掺杂GaAs膜,在He-Ne激光场作用下,其近红外光吸收系数变化的实验结果
英文摘要报道MOVPE技术生长不掺杂GaAs膜,在He-Ne激光场作用下,其近红外光吸收系数变化的实验结果; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:41导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6082.pdf: 202626 bytes, checksum: 76979b40f25c50c2ed52a1c05ddc55f6 (MD5) Previous issue date: 1994; 北京大学物理系;中科院半导体所
学科主题半导体材料
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2010-11-23 ; 2011-04-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19961]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王德煌,王威礼,李桂棠,等. 不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究[J]. 北京大学学报. 自然科学版,1994,30(5):575.
APA 王德煌,王威礼,李桂棠,庄婉如,&段树坤.(1994).不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究.北京大学学报. 自然科学版,30(5),575.
MLA 王德煌,et al."不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究".北京大学学报. 自然科学版 30.5(1994):575.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。