CoSi2薄膜形成过程中的反应机制
文献类型：期刊论文
| 作者 | 何杰 ; 顾诠 ; 陈维德 ; 许振嘉 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:8页码:544 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6088.pdf: 526948 bytes, checksum: 86537d17dee87c515ff483d9b945e4c3 (MD5) Previous issue date: 1994; 国家自然科学基金; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19973]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 何杰,顾诠,陈维德,等. CoSi2薄膜形成过程中的反应机制[J]. 半导体学报,1994,15(8):544. |
| APA | 何杰,顾诠,陈维德,&许振嘉.(1994).CoSi2薄膜形成过程中的反应机制.半导体学报,15(8),544. |
| MLA | 何杰,et al."CoSi2薄膜形成过程中的反应机制".半导体学报 15.8(1994):544. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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