EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探
文献类型：期刊论文
| 作者 | 徐波
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:5页码:322 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:43导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:43Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6090.pdf: 436919 bytes, checksum: e614fac0f63454f0f3f6064b5d9ced70 (MD5) Previous issue date: 1994; 中科院半导体所;中山大学 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19977]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐波. EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探[J]. 半导体学报,1994,15(5):322. |
| APA | 徐波.(1994).EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探.半导体学报,15(5),322. |
| MLA | 徐波."EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探".半导体学报 15.5(1994):322. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。