GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘剑
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:10页码:711 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6091.pdf: 188224 bytes, checksum: 3165e518d1c1d6262789ee9012b307b2 (MD5) Previous issue date: 1994; 中科院半导体所;芬兰图尔库大学 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19979]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘剑. GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究[J]. 半导体学报,1994,15(10):711. |
| APA | 刘剑.(1994).GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究.半导体学报,15(10),711. |
| MLA | 刘剑."GaAs/AlGaAs双量子阱中量子相干特性的研究".半导体学报 15.10(1994):711. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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