GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杜全钢 ; 钟战天 ; 周小川 ; 牟善明 ; 徐贵昌 ; 蒋健 ; 段海龙 ; 王昌衡 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:2页码:98 |
| 中文摘要 | 报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(厚度Δt_(max)/t<=3 precent,组分Δx_(max)/x<=3.4 ％,掺杂浓度Δn_(max)/n<=3 ％,椭圆缺陷<=300cm~(-2))的外延材料。分析了暗电流的成因, 通过加厚势垒(L_b>=300A)、控制掺杂(n<=1×10~(18)cm~(-3))、精确设计子带结构, 将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善。由此得到了高质量的多量子阱红外探测器材料。 |
| 英文摘要 | 报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能。这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,阱内n型掺杂,具有50个周期。利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(φ2英寸)均匀(厚度Δt_(max)/t<=3 precent,组分Δx_(max)/x<=3.4 ％,掺杂浓度Δn_(max)/n<=3 ％,椭圆缺陷<=300cm~(-2))的外延材料。分析了暗电流的成因, 通过加厚势垒(L_b>=300A)、控制掺杂(n<=1×10~(18)cm~(-3))、精确设计子带结构, 将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善。由此得到了高质量的多量子阱红外探测器材料。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6095.pdf: 144290 bytes, checksum: 93318003993a92e049773055fb1a5eca (MD5) Previous issue date: 1994; 国家自然科学基金; 中科院物理所;中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19987]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜全钢,钟战天,周小川,等. GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究[J]. 半导体学报,1994,15(2):98. |
| APA | 杜全钢.,钟战天.,周小川.,牟善明.,徐贵昌.,...&王昌衡.(1994).GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究.半导体学报,15(2),98. |
| MLA | 杜全钢,et al."GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器材料研究".半导体学报 15.2(1994):98. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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