GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王玉田
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| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:2页码:119 |
| 中文摘要 | 用掠入射全反射X射线衍射,结合常规X射线衍射,对GaAs/GaP应变层界面进行了研究,给出了界面失配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数。结果表明掠入射衍射(GID)是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具。 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19991]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王玉田. GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析[J]. 半导体学报,1994,15(2):119. |
| APA | 王玉田.(1994).GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析.半导体学报,15(2),119. |
| MLA | 王玉田."GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析".半导体学报 15.2(1994):119. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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