Si（337）-另一个较稳定的高密勒指数晶面
文献类型：期刊论文
| 作者 | 邢益荣 ; Ranke W |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:2页码:136 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:48导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:48Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6105.pdf: 206851 bytes, checksum: 2158b39e94d593d1f805c9b4bcb5189f (MD5) Previous issue date: 1994; 中科院半导体所;德国马普学会 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20007]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢益荣,Ranke W. Si（337）-另一个较稳定的高密勒指数晶面[J]. 半导体学报,1994,15(2):136. |
| APA | 邢益荣,&Ranke W.(1994).Si（337）-另一个较稳定的高密勒指数晶面.半导体学报,15(2),136. |
| MLA | 邢益荣,et al."Si（337）-另一个较稳定的高密勒指数晶面".半导体学报 15.2(1994):136. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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