a-Si:H中第二类亚稳缺陷的观察
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙国胜 ; 夏传钺 ; 郑义霞 ; 孔光临 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:5页码:304 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 资助信息 | 国家自然科学基金 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20009]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙国胜,夏传钺,郑义霞,等. a-Si:H中第二类亚稳缺陷的观察[J]. 半导体学报,1994,15(5):304. |
| APA | 孙国胜,夏传钺,郑义霞,&孔光临.(1994).a-Si:H中第二类亚稳缺陷的观察.半导体学报,15(5),304. |
| MLA | 孙国胜,et al."a-Si:H中第二类亚稳缺陷的观察".半导体学报 15.5(1994):304. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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