气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料
文献类型：期刊论文
| 作者 | 袁瑞霞 ; 阎春辉 ; 国红熙 ; 李晓兵 ; 朱世荣 ; 李灵肖 ; 曾一平 ; 孔梅影 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1994 |
| 卷号 | 15期号:5页码:312 |
| 英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:14:51导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6116.pdf: 188843 bytes, checksum: 5240893607a4f336b7b7a170df11df1c (MD5) Previous issue date: 1994; 中科院半导体所 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20029]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 袁瑞霞,阎春辉,国红熙,等. 气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料[J]. 半导体学报,1994,15(5):312. |
| APA | 袁瑞霞.,阎春辉.,国红熙.,李晓兵.,朱世荣.,...&孔梅影.(1994).气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料.半导体学报,15(5),312. |
| MLA | 袁瑞霞,et al."气态源分子束外延（AlGa）InP和GaInP/AlInP多量子阱材料".半导体学报 15.5(1994):312. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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